对比图
型号 FM21L16-60-TG FM22L16-55-TG FM21L16-60-TGTR
描述 F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。FRAM 2Mbit Parallel 3.3V 44Pin TSOP-II T/R
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
供电电流 12 mA 18 mA -
存取时间 60 ns 55 ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
存取时间(Max) - 55 ns 60 ns
工作电压 - 2.7V ~ 3.6V -
针脚数 - 44 -
时钟频率 - 40 MHz -
电源电压(Max) - 3.6 V -
电源电压(Min) - 2.7 V -
长度 18.41 mm 18.41 mm -
宽度 10.16 mm 10.16 mm -
高度 1.2 mm 1.05 mm -
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -