STB10NK60Z-1和STI13NM60N

对比图

型号 STB10NK60Z-1 STI13NM60N STB13NK60Z-1

描述 N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 VN沟道600V - 0.48ヘ-13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

引脚数 - 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 I2PAK

安装方式 Through Hole Through Hole -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 11A 13A

上升时间 20 ns 8 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds) 2030pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns 10 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 90W (Tc) 150000 mW

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 10.0 A - -

漏源极电阻 750 mΩ 0.28 Ω -

耗散功率 115 W 90 W -

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

额定功率(Max) - 90 W -

封装 TO-262-3 TO-262-3 I2PAK

长度 10 mm 10.4 mm -

宽度 4.4 mm 4.6 mm -

高度 8.95 mm 10.75 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

香港进出口证 - NLR -