对比图
型号 BSC011N03LSATMA1 FDMS7650 BSC0902NSIATMA1
描述 INFINEON BSC011N03LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7650 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 VINFINEON BSC0902NSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 TDSON-8 Power-56-8 TDSON-8
通道数 - 1 -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0009 Ω 0.0008 Ω 0.0023 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 96 W 104 W 48 W
阈值电压 2 V 1.9 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V -
连续漏极电流(Ids) 37A 60.0 A 23A
上升时间 8.8 ns 24 ns 5.4 ns
输入电容(Ciss) 4700pF @15V(Vds) 14965pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W -
下降时间 6.2 ns 21 ns 3.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 96 W 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2500 mW
额定功率 96 W - 48 W
输入电容 4700 pF - -
长度 6.1 mm 5 mm 5.9 mm
宽度 5.35 mm 6 mm 5.15 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm 1.27 mm
封装 TDSON-8 Power-56-8 TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17