对比图
型号 FQB6N70TM STD6N62K3 STB6N62K3
描述 N沟道 700V 6.2ASTMICROELECTRONICS STD6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 1.16 Ω 0.95 Ω 0.95 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.13 W 90 W 90 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
输入电容 - 875 pF -
漏源极电压(Vds) 700 V 620 V 620 V
连续漏极电流(Ids) 6.20 A 5.5A 5.5A
上升时间 70 ns 12 ns -
输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 706pF @50V(Vds) 875pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 90 W 90 W
下降时间 50 ns 20 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)
额定电压(DC) 700 V - -
额定电流 6.20 A - -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 700 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.67 mm 6.6 mm 10.75 mm
宽度 9.65 mm 6.2 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 2.4 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 EAR99 - -