对比图
型号 FDP75N08 IRF2807ZPBF FDP75N08A
描述 75V N沟道MOSFET 75V N-Channel MOSFETINFINEON IRF2807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 11 mΩ 0.0094 Ω 11 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 131 W 170 W 137 W
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 89A 75.0 A
上升时间 68 ns 79 ns 212 ns
输入电容(Ciss) 4468pF @25V(Vds) 3270pF @25V(Vds) 4468pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 137 W 170 W 137 W
下降时间 93 ns 45 ns 147 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 131W (Tc) 170W (Tc) 137W (Tc)
额定电压(DC) - - 75.0 V
额定电流 - - 75.0 A
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 3270 pF 4.47 nF
栅电荷 - - 104 nC
额定功率 - 170 W -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.83 mm
高度 16.3 mm 16.51 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99