CY7C1370CV25-167BZC和CY7C1370DV25-200BZI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370CV25-167BZC CY7C1370DV25-200BZI CY7C1370DV25-167BZI

描述 512K ×36 / 1M ×18的SRAM流水线与NOBL ™架构 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 BGA FBGA FBGA-165

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 2.5 V 2.375V ~ 2.625V

位数 - - 36

存取时间(Max) - - 3.4 ns

高度 - 0.89 mm -

封装 BGA FBGA FBGA-165

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

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