对比图
型号 JAN2N6351 JANTX2N6351 2N6351
描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 4 4 4
封装 TO-33 TO-33 TO-33
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1 W 1 W 1000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V
集电极最大允许电流 5A 5A 5A
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 5V 1000 @5A, 5V -
额定功率(Max) 1 W 1 W -
封装 TO-33 TO-33 TO-33
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Box Box Bulk
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -