对比图
型号 FQP19N20C FQP19N20C_F080 STP19NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP19N20C. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 VMOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3Pin 3+TabN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - 3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 140 mΩ 150 mΩ 0.15 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 139 W 139 W 90 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 19.0 A 19A 7.50 A
上升时间 150 ns 150 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 1080pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
下降时间 115 ns 115 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 139 W 139W (Tc) 90000 mW
阈值电压 4 V - 3 V
正向电压(Max) - - 1.6 V
额定功率(Max) 139 W - 90 W
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 19.0 A - -
针脚数 3 - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.1 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 16.3 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -