CY7C1320KV18-250BZC和CY7C1320KV18-250BZI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1320KV18-250BZC CY7C1320KV18-250BZI CY7C1320KV18-250BZCT

描述 CY7C1320JV18 18 Mb (512 K x 36) 1.8V 250 MHz DDR-II 2-字突发 SRAM-FBGA-16518兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165Pin FBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

引脚数 165 165 -

位数 36 36 36

存取时间 - - 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991 -

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