对比图
型号 FQPF9N50CF IRF730APBF STF10NK50Z
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF9N50CF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 4 VVISHAY IRF730APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS STF10NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 400 V 500 V
额定电流 - 5.50 A 9.00 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.7 Ω 1 Ω 550 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 44 W 74 W 30 W
阈值电压 4 V 4.5 V 3.75 V
输入电容 - 600pF @25V -
漏源极电压(Vds) 500 V 400 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 400 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 5.50 A 4.50 A
上升时间 65 ns 22 ns 17 ns
下降时间 64 ns 16 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) - 1219pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 44 W - 30 W
耗散功率(Max) 44W (Tc) - 30W (Tc)
长度 10.36 mm 10.51 mm 10.4 mm
宽度 4.9 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 16.07 mm 15.49 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 Active - Not Recommended for New Designs
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99