MJD3055T4G和NJVMJD3055T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD3055T4G NJVMJD3055T4G MJD3055TF

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD3055T4G  双极性晶体管互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD3055TF  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 5 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 10.0 A - 10.0 A

针脚数 4 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.75 W 1.75 W 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) 5 - 5

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 20 W

集电极击穿电压 - - 70.0 V

长度 6.73 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.1 mm

高度 2.38 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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