JAN2N718A和JANTXV2N718A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N718A JANTXV2N718A JANTX2N718A

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-18 TO-18 TO-18

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.5 W - 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

封装 TO-18 TO-18 TO-18

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台