STW25NM60ND和STW45NM50

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STW25NM60ND STW45NM50 APT6030BVRG

描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STW45NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 VTO-247 N-CH 600V 21A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.13 Ω 0.1 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 160 W 417 W 298 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 2400 pF - 3.75 nF

漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 21A 45.0 A 21.0 A

上升时间 30 ns 107.5 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 3750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 417 W -

下降时间 40 ns 87.7 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 417W (Tc) 298000 mW

额定电压(DC) - 500 V 600 V

额定电流 - 45.0 A 21.0 A

栅电荷 - - 150 nC

额定功率 - 390 W -

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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