对比图
描述 ROHM RTM002P02T2L 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mVP 沟道 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V 驱动 P 沟道 Mosfet 表面贴装 - VMT-3
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-723-3 SOT-723-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 1 Ω 0.8 Ω
耗散功率 150 mW 150 mW
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
上升时间 6 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 115pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 150 mW 150 mW
下降时间 45 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150mW (Ta) 150 mW
额定电压(DC) -20.0 V -
额定电流 -200 mA -
通道数 1 -
极性 P-Channel -
连续漏极电流(Ids) 200 mA -
长度 - 1.3 mm
宽度 0.8 mm 0.9 mm
高度 - 0.45 mm
封装 SOT-723-3 SOT-723-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not For New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99