BQ4017MC-70和DS1270Y-70#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4017MC-70 DS1270Y-70# DS1270Y-70IND#

描述 2048Kx8非易失SRAM 2048Kx8 Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 2000000 B 16000000 B 16000000 B

存取时间(Max) 70 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V 4.5 V

工作电压 - 5 V -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - - 36

长度 52.96 mm - -

宽度 18.42 mm - -

高度 9.4 mm - -

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead PB free PB free

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