VND14NV04和VND14NV0413TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND14NV04 VND14NV0413TR VND14NV04-E

描述 “ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 12 A 12 A 18 A

供电电流 - - 0.1 mA

针脚数 - - 3

漏源极电阻 35.0 mΩ 35.0 mΩ 0.035 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 74 W 74 W 74 W

阈值电压 - - 2.5 V

漏源极电压(Vds) - - 55 V

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 7.00 A

输出电流(Max) 12 A 12 A 12 A

输出电流(Min) - - 12 A

输入数 1 1 1

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 74000 mW 74000 mW 74000 mW

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 12.0 A - -

高度 - - 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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