FJP5304DTU和TR236

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJP5304DTU TR236 MJE13005G

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - - 4 MHz

额定电压(DC) 400 V - 400 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 70 W - 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 8 @2A, 5V 8 @2.5A, 5V 8 @2A, 5V

额定功率(Max) 70 W 70 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 70000 mW - 75000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 40 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.4 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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