MMBT5210和MSD601-RT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5210 MSD601-RT1G MMBT6429LT1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5210  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 30 MHz, 350 mW, 100 mA, 200 hFEMSD601-R: NPN 双极晶体管放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 500 mA 100 mA 200 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 0.2 W 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @100µA, 5V 210 @2mA, 10V 500 @100µA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 200 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 200 mW 300 mW

频率 30 MHz - 700 MHz

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 200 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

高度 0.93 mm - 0.94 mm

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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