JAN2N3810L和JANS2N3810

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3810L JANS2N3810 2N3810L

描述 Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78TO-78 PNP 60V 0.05APNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 6 6

封装 TO-78-6 TO-78 TO-78-6

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 150 @1mA, 5V - 150 @1mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW - 350 mW

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 350 mW 350 mW

极性 - PNP -

耗散功率 - 0.35 W -

集电极最大允许电流 - 0.05A -

封装 TO-78-6 TO-78 TO-78-6

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

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