IRLR7843PBF和IRLR7843TRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR7843PBF IRLR7843TRLPBF IRLR8743PBF

描述 INFINEON  IRLR7843PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 VN沟道 30V 161AINFINEON  IRLR8743PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 3.1 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 0.0033 Ω 3.3 mΩ 0.0031 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 140 W 140 W 135 W

阈值电压 2.3 V 2.3 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 161A 161A 160A

上升时间 42 ns 42 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 4380pF @15V(Vds) 4380pF @15V(Vds) 4880pF @15V(Vds)

下降时间 19 ns 19 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 135W (Tc)

额定功率 140 W - 135 W

针脚数 3 - 3

输入电容 4380pF @15V - 4880pF @15V

额定功率(Max) 140 W - -

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台