MMBF4392LT1G和MPF4392

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF4392LT1G MPF4392 MMBF4392

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBF4392LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFETJFET的开关 JFETs SwitchingFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4392  晶体管, JFET, JFET, -30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA 75.0 mA

漏源极电阻 60 Ω 60 Ω 60 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

输入电容 14 pF 10.0 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 30 V 30.0 V -

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 14pF @15V(Vds) 10pF @15V(Vgs) 14pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 350 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 350 mW 350 mW

耗散功率 225 mW - 350 mW

连续漏极电流(Ids) - - 50.0 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

击穿电压 -30.0 V - -

漏源击穿电压 30 V - -

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.92 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 0.93 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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