对比图
型号 SPA06N60C3 STF9NM60N IPA60R750E6
描述 INFINEON SPA06N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STF9NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 6.20 A - -
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.68 Ω 0.63 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 32 W 25 W 27W (Tc)
阈值电压 3 V 3 V -
输入电容 620 pF - -
栅电荷 31.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 6.20 A 6.5A 5.7A
上升时间 12 ns 23 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 452pF @50V(Vds) 373pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 32 W 25 W 27 W
下降时间 10 ns 26.7 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 32W (Tc) 25W (Tc) 27W (Tc)
长度 10.65 mm 10.4 mm 10.65 mm
宽度 4.85 mm 4.6 mm 4.9 mm
高度 16.15 mm 16.4 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -