对比图
型号 IRFP250N STW40NF20 MTW32N20E
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin (3+Tab) TO-247ACSTMICROELECTRONICS STW40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V200V,32A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 N沟道MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 30.0 A 40.0 A 32.0 A
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 75.0 mΩ 0.038 Ω 0.075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 214 W 160 W 180 W
阈值电压 - 3 V -
输入电容 - 2.50 nF 3600pF @25V
栅电荷 - 75.0 nC -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200V (min) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 25.0 A, 40.0 A 32.0 A
上升时间 43 ns 44 ns 120 ns
输入电容(Ciss) - 2500pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 160 W -
下降时间 33 ns 22 ns 91 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 214000 mW 160W (Tc) 180W (Tc)
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
产品系列 IRFP250N - -
长度 - 15.75 mm 16.26 mm
宽度 - 5.15 mm 5.3 mm
高度 - 20.15 mm 21.08 mm
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Tube Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99