对比图
型号 STI16NM50N STP16NM50N STB20NM50-1
描述 N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPN沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPN沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3
耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc) 192 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V
输入电容(Ciss) 1200pF @50V(Vds) 1200pF @50V(Vds) 1480pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 192W (Tc)
极性 N-CH - N-Channel
连续漏极电流(Ids) 15A - 20.0 A
额定电压(DC) - - 550 V
额定电流 - - 20.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 250 mΩ
输入电容 - - 1.48 nF
栅电荷 - - 56.0 nC
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
上升时间 - - 16 ns
额定功率(Max) - - 192 W
下降时间 - - 8.5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 65 ℃
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 8.95 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free