BUV21和BUV21G

对比图

型号 BUV21 BUV21G BUV21R1

描述 SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power TransistorON SEMICONDUCTOR  BUV21G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-3 TO-204-2 -

引脚数 - 2 -

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 40.0 A 40.0 A -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V -

集电极最大允许电流 40A 40A -

最小电流放大倍数(hFE) 20 20 @12A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 60 - -

频率 - 8 MHz -

针脚数 - 2 -

耗散功率 - 250 W -

额定功率(Max) - 250 W -

直流电流增益(hFE) - 10 -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250000 mW -

封装 TO-3 TO-204-2 -

长度 - 38.86 mm -

宽度 - 26.67 mm -

高度 - 8.51 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray -

最小包装 100 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -