MMBFJ310LT1G和MMBFJ310LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT3G MMBFJ310.*

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ310LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFETN 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ310.*  场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 60 mA 10.0 mA 10.0 mA

击穿电压 25.0 V -25.0 V -25.0 V

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225 mW 225 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25.0 V

栅源击穿电压 25 V 25.0 V 25.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 60.0 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

漏源击穿电压 25 V - -

增益 12 dB 12 dB -

测试电流 10 mA 10 mA -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 225 mW - -

额定电压 25 V 25 V -

输入电容 - 5.00 pF -

击穿电压 - 25 V -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1.01 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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