JAN2N6676和JANTX2N6676

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6676 JANTX2N6676 JAN2N6675

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-204 TO-3 TO-204

击穿电压(集电极-发射极) 300 V - 400 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 3V - 8 @10A, 2V

额定功率(Max) 6 W - 6 W

封装 TO-204 TO-3 TO-204

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -

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