对比图
型号 BC858BWT1G BC858W,115 BC858BWT1
描述 PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管SC-70 PNP 30V 0.1A通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3
频率 100 MHz 100 MHz -
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -100 mA - -100 mA
针脚数 3 - -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 150 mW 0.2 W 150 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW
直流电流增益(hFE) 220 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -50 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 150 mW 200 mW -
长度 2.2 mm - 2.1 mm
宽度 1.35 mm - 1.24 mm
高度 0.9 mm - 0.85 mm
封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -