FQU11P06TU和FQU17P06TU

对比图

型号 FQU11P06TU FQU17P06TU FQU11P06

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06TU  晶体管, P沟道ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQU17P06TU, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251

安装方式 Through Hole Through Hole -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 185 mΩ 0.11 Ω 0.185 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 38 W 2.5 W 38 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) -9.40 A - 9.40 A

上升时间 - 100 ns 40.0 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -9.40 A - -

通道数 1 - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2500 mW -

阈值电压 - 4 V -

下降时间 - 60 ns -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251

长度 6.6 mm 6.8 mm -

宽度 2.3 mm 2.5 mm -

高度 6.1 mm 7.57 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Rail, Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -