对比图
型号 SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-GE3 IRF7424.PBF
描述 VISHAY SI4431BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 VVISHAY SI4431BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5WINFINEON IRF7424.PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 13.5 mohm, -10 V, -2.5 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.023 Ω 0.023 Ω 0.0135 Ω
耗散功率 2.5 W 1.5 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
极性 P-Channel P-Channel -
漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.80 A, -7.50 A -5.70 A -
上升时间 10 ns 10 ns -
下降时间 47 ns 47 ns -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 1.5 W - -
封装 SOIC-8 SOIC SOIC
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.55 mm - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -