2N7000和2N7000RLRAG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7000 2N7000RLRAG 2N7000,126

描述 小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorSPTAmmo N-CH 60V 0.3A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 5 Ω 5 Ω 5000 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 350 mW 350 mW 830 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 200 mA 0.3A

输入电容(Ciss) 20pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 400 mW 350 mW 830 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 350mW (Tc) 830mW (Ta)

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 200 mA -

阈值电压 2.1 V 3 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

针脚数 3 - -

长度 5.2 mm 5.2 mm 4.8 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.2 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.2 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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