对比图
型号 MRF6VP2600HR6 MRFE6VP5600HR5 MRF6VP2600HR5
描述 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500MHz, 600W, 50V晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230NXP MRF6VP2600HR5 射频场效应管, MOSFET, N沟道, 110V, 375D-05
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 5 4 4
封装 NI-1230 NI-1230-4H NI-1230
安装方式 - Surface Mount -
频率 225 MHz 230 MHz 225 MHz
额定电流 2.5 mA - 2.5 mA
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
输出功率 125 W 600 W 125 W
增益 25 dB 25 dB 25 dB
测试电流 2.6 A 100 mA 2.6 A
输入电容(Ciss) 1.7pF @50V(Vds) 342pF @50V(Vds) 1.7pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
额定电压 110 V 130 V 110 V
极性 - - N-Channel
漏源极电压(Vds) - 130 V 110 V
连续漏极电流(Ids) - - 50.0 µA
电源电压 - 50 V 50 V
针脚数 - 4 -
耗散功率 - 1.667 kW -
高度 5.08 mm - -
封装 NI-1230 NI-1230-4H NI-1230
工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃
重量 - 13155.2 mg 13155.2 mg
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
军工级 - Yes -
ECCN代码 - EAR99 EAR99