对比图
型号 NTMFS4897NFT1G NTMFS4897NFT3G
描述 ON SEMICONDUCTOR NTMFS4897NFT1G 场效应管, MOSFET, N沟道功率MOSFET的30 V ， 171 A单N沟道， SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 5
封装 DFN-8 SO-FL-8
针脚数 8 -
漏源极电阻 1.3 mΩ 2 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 96.2 W
阈值电压 2 V 1.5V ~ 2.5V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A -
上升时间 24 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 5660pF @15V(Vds) 5660pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 950 mW -
下降时间 13 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
通道数 - 1
漏源击穿电压 - 30 V
封装 DFN-8 SO-FL-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -