对比图
描述 N沟道100V - 0.019Ω - 80A - TO- 220 - D2PAK - I2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP60NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-262-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 100 V
额定电流 - 80.0 A
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 19 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 300 W 300 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 40.0 A
上升时间 56 ns 56 ns
输入电容(Ciss) 4270pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W
下降时间 23 ns 23 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
长度 10 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm
高度 8.95 mm 15.75 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99