对比图
型号 SPD07N60C3 SPD07N60S5 SIHD7N60E-GE3
描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power TransistorVISHAY SIHD7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
额定电压(DC) 650 V 650 V -
额定电流 7.30 A 7.30 A -
额定功率 83 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.54 Ω - 0.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 83W (Tc) 78 W
阈值电压 3 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 650 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 7.30 A 7.30 A -
上升时间 3.5 ns 40 ns -
输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 970pF @25V(Vds) -
下降时间 7 ns 20 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 83 W 83W (Tc) -
额定功率(Max) - 83 W -
长度 6.5 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.3 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended Obsolete -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -