KSH200TF和MJD2955T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH200TF MJD2955T4G MJD200T5G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSH200TF  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 10 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD2955T4G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新TRANS NPN 25V 5A DPAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 65 MHz 2 MHz -

额定电压(DC) 25.0 V -60.0 V -

额定电流 5.00 A -10.0 A -

针脚数 3 3 -

极性 NPN N-Channel, P-Channel -

耗散功率 12.5 W 1.75 W -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 60 V 25 V

集电极最大允许电流 5A 10A -

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 20 @4A, 4V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.75 W 1.4 W

直流电流增益(hFE) 10 5 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 12.5 W 1750 mW -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 6.6 mm 6.73 mm -

宽度 6.1 mm 6.22 mm -

高度 2.3 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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