PBHV8115Z,115和PBHV8118T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBHV8115Z,115 PBHV8118T BZX79-C5V1

描述 NXP  PBHV8115Z,115  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFENPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNXP  BZX79-C5V1  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Axial

引脚数 4 3 2

封装 TO-261-4 SOT-23 DO-35

针脚数 4 3 2

耗散功率 700 mW 300 mW 500 mW

测试电流 - - 5 mA

稳压值 - - 5.1 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 180 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V 100 -

最大电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V - -

额定功率(Max) 1.4 W - -

直流电流增益(hFE) 250 250 -

耗散功率(Max) 1400 mW 300 mW -

宽度 - 1.4 mm 1.85 mm

封装 TO-261-4 SOT-23 DO-35

长度 - 3 mm -

高度 - 1.1 mm -

工作温度 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃

温度系数 - - -0.8 MV/K

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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