对比图
型号 CSD19535KCS CSD19536KCS CSD19531KCS
描述 100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19535KCS100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCSTEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0031 Ω 0.0023 Ω 0.0064 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 375 W 179 W
阈值电压 2.7 V 2.5 V 2.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 150A 150A 100A
上升时间 15 ns 8 ns 7.2 ns
输入电容(Ciss) 6100pF @50V(Vds) 12000pF @50V(Vds) 3870pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 375 W 214 W
下降时间 5 ns 5 ns 4.1 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 375W (Tc) 214W (Tc)
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.7 mm
高度 16.51 mm 16.51 mm 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99