对比图
型号 STB8NM60T4 STP8NM60D R6008FNX
描述 STMICROELECTRONICS STB8NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 VN沟道600V - 0.9ヘ - 8A - TO- 220 / D2PAK快速二极管MDmesh⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.9 Ω - 950 mΩ
极性 N-Channel N-CH N
耗散功率 100 W 100 W 50 W
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 8A 8A
上升时间 10 ns 10 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds) 580pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 100 W 100 W 50 W
下降时间 10 ns 8 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc) 50W (Tc)
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 5.00 A - -
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
输入电容 400 pF - -
栅电荷 18.0 nC - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 9.35 mm 4.6 mm -
高度 4.6 mm 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Bulk
最小包装 - - 1000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99