对比图
型号 2N7002,215 PMV117EN BST82,215
描述 Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装PMV117EN N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM1 低RDS/高饱和电流能力NXP BST82,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
长度 3 mm - -
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 1 mm - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 2.8 Ω - 5 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 0.83 W - 830 mW
阈值电压 2 V - 2 V
输入电容 31 pF - -
漏源极电压(Vds) 60 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 300 mA - 190 mA
正向电压(Max) 1.2 V - -
输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) - 40pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 830 mW - 830 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 830 mW - 830mW (Tc)
通道数 - - 1
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)