对比图
型号 RFP40N10LE RFP50N06 RFP30N06LE
描述 40A ， 100V ， 0.040欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETsON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 30.0 A
漏源极电阻 - 0.022 Ω 47.0 mΩ
极性 - - N-Channel
耗散功率 - 131 W 96 W
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 30.0 A
上升时间 - 55 ns 88 ns
输入电容(Ciss) - 2020pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
下降时间 - 13 ns 40 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 131 W 96W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
额定功率(Max) - 131 W -
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 4.83 mm 4.7 mm
高度 - 9.4 mm 16.3 mm
封装 - TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99