对比图
型号 STB11N52K3 STB11NK50ZT4 R5011ANJTL
描述 STMICROELECTRONICS STB11N52K3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 525 V, 0.41 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STB11NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 VTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3Pin(2+Tab) LPTS T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.41 Ω 0.48 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 125 W 125 W 75W (Tc)
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 525 V 500 V 500 V
上升时间 18 ns 18 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 1400pF @50V(Vds) 1390pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 125 W -
下降时间 42 ns 15 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 75W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 10.0 A -
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 4.50 A -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -