对比图
描述 TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN TransistorON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 3 - 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3
安装方式 - Through Hole Through Hole
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V
额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 36000 mW - 36000 mW
频率 - - 3 MHz
额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V
额定电流 - 4.00 A 4.00 A
针脚数 - - 3
极性 - NPN NPN
耗散功率 - - 36 W
增益频宽积 - - 3 MHz
集电极最大允许电流 - 4A 4A
直流电流增益(hFE) - - 15
最大电流放大倍数(hFE) - 475 -
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3
长度 - - 7.74 mm
宽度 - - 2.66 mm
高度 - - 11.04 mm
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Bag Bulk Bulk
最小包装 - 500 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99