IPB100N08S2-07和IPB100N08S2L-07

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB100N08S2-07 IPB100N08S2L-07 SPB100N08S2L-07

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3-2

通道数 1 1 -

极性 N-CH N-CH N-CH

阈值电压 - 1.2 V -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A 100 A

上升时间 51 ns 56 ns -

输入电容(Ciss) 4700pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds) 7130pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W -

下降时间 30 ns 22 ns -

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 100 A

耗散功率 - - 300W (Tc)

输入电容 - - 7.13 nF

栅电荷 - - 246 nC

耗散功率(Max) - - 300W (Tc)

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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