BC859B和BC859BLT1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC859B BC859BLT1 BC859C

描述 BC859B PNP三极管 -30V -100mA/-0.1A 100MHz 220~475 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 4B 低噪声通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -100 mA -

极性 - PNP -

耗散功率 - 225 mW 250 mW

增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 300 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 250 mW

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

ECCN代码 - - EAR99

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