2N4920G和BD238

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4920G BD238 2N4920

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N4920G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 10 hFESTMICROELECTRONICS  BD238  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 25 W, 2 A, 40 hFEMULTICOMP  2N4920  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 3 MHz, 30 W, -1 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Multicomp

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 30 W 25 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80.0 V

直流电流增益(hFE) 10 40 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃

频率 3 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V -100 V -

额定电流 -3.00 A -2.00 A -

无卤素状态 Halogen Free - -

热阻 4.16℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 3A - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 25 @1A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 150 - -

额定功率(Max) 30 W 25 W -

耗散功率(Max) 30000 mW 25000 mW -

额定功率 - 25 W -

增益频宽积 - 3 MHz -

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126

长度 7.74 mm 7.8 mm -

宽度 2.66 mm 2.7 mm -

高度 11.04 mm 10.8 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon Silicon -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -

包装方式 Bulk Tube -

ECCN代码 EAR99 - -

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