对比图
描述 N沟道MOSFET QFET® 800 V， 3.9 A， 3.6 I© N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 ΩN沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 -
封装 TO-262-3 TO-262-3
安装方式 Through Hole Through Hole
耗散功率 3.13 W 115 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
上升时间 80 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 1430pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W -
下降时间 60 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 115W (Tc)
额定电压(DC) 600 V 600 V
额定电流 7.40 A 10.0 A
漏源极电阻 1.00 Ω 750 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
漏源击穿电压 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.40 A 10.0 A
封装 TO-262-3 TO-262-3
长度 - 10 mm
宽度 - 4.4 mm
高度 - 8.95 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -