对比图
型号 IRFR3410PBF STD25NF10T4 STD15NF10T4
描述 N沟道,100V,31A,39mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 31.0 A 25.0 A 23.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 39 mΩ 0.033 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3 W 100 W 70 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 12.5 A 23.0 A
上升时间 27.0 ns 60 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3 W 100 W 70 W
下降时间 - 15 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 70W (Tc)
产品系列 IRFR3410 - -
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99