DS1265W-100IND和DS1265AB-70+

对比图

型号 DS1265W-100IND DS1265AB-70+ DS1265AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 -

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) -

时钟频率 100 GHz 70.0 GHz -

存取时间 100 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B -

电源电压 3V ~ 3.6V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

长度 53.34 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 10.29 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free