BUL381D和MJE13007G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUL381D MJE13007G BUL138

描述 STMICROELECTRONICS  BUL381D  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 70 W, 3 A, 10 hFEON SEMICONDUCTOR  MJE13007G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFESTMICROELECTRONICS  BUL138  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 5 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 14 MHz -

额定电压(DC) 400 V 400 V 400 V

额定电流 5.00 A 8.00 A 5.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 70 W 80 W 80 W

上升时间 - 1.5 µs -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

热阻 - 1.56℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 5A 8A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 8 @2A, 5V 5 @5A, 5V 8 @2A, 5V

额定功率(Max) 70 W 80 W 80 W

直流电流增益(hFE) 10 4 10

下降时间 - 0.7 µs -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 70000 mW 80000 mW 80000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 40

额定功率 70 W - -

长度 10.4 mm 10.28 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.82 mm 4.6 mm

高度 15.75 mm 15.75 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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